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90 nm 공정

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1. 개요

90 nm 공정은 90 나노미터 크기의 반도체 소자를 생산하는 기술로, 1988년 MIT에서 X선 리소그래피를 사용하여 처음 개발되었다. 2000년대 초 도시바, 소니, 삼성, IBM, 인텔, 후지쯔, TSMC 등 여러 회사에서 이 기술을 상용화했으며, 프로세서, 메모리 등 다양한 반도체 제품에 적용되었다. 90 nm 공정은 트랜지스터 집적도를 높여 성능 향상과 비용 절감에 기여했으며, 게임 콘솔, CPU, GPU 등 다양한 분야에 영향을 미쳤다.

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90 nm 공정
90nm 공정
기술 세대90nm

2. 역사

1988년 MIT의 이란 엔지니어 가밤 샤히디(나중에 IBM 이사)가 D.A. Antoniadis 및 H.I. Smith와 함께 반도체 소자 제작으로 90 nm 실리콘 MOSFET를 제작했다. 이 소자는 X선 리소그래피를 사용하여 제작되었다.[6]

2001년에서 2002년 사이에 도시바, 소니, 삼성은 90nm 공정을 개발했으며, 2002년 도시바의 eDRAM 및 삼성의 2Gb NAND 플래시 메모리에 도입되었다.[7][8] IBM은 2002년에 샤히디가 주도한 90nm 절연체 위에 실리콘(SOI) CMOS 공정을 시연했다. 같은 해, 인텔은 90nm 스트레인 실리콘 공정을 시연했다.[9] 후지쯔2003년에 90nm 공정을 상업적으로 도입했고[10] TSMC2004년에 그 뒤를 이었다.[11]

마이크론 테크놀로지의 구르테지 싱 산두는 원자층 증착 고유전율 박막의 DRAM 메모리 소자 개발을 시작했다. 이는 90nm 반도체 노드 DRAM부터 시작하여 반도체 메모리의 비용 효율적인 구현을 촉진하는 데 도움이 되었다.[12]

인텔의 90nm 공정은 1제곱 밀리미터(MTr/mm2)당 145만 개의 트랜지스터 밀도를 가지고 있다.[13]

3. 주요 특징

엘피다 메모리의 90 nm DDR2 SDRAM 공정의 주요 특징은 다음과 같다.[14]


  • 300mm 웨이퍼 크기 사용
  • 광학 근접 효과 보정을 이용한 KrF (248nm) 리소그래피 사용
  • 512 Mbit
  • 1.8V 작동
  • 이전 110 nm 및 100 nm 공정의 파생

4. 90 나노미터 제조 공정을 적용한 프로세서

90 nm 제조 공정을 적용한 프로세서 목록은 다음과 같다.

제조사제품명출시일
IBMPowerPC G5 970FX, 970MP, 970GX2004년 ~ 2005년
IBM엑스박스 360 프로세서 Waternoose2005년
IBM, 소니, 도시바셀 프로세서2005년
인텔펜티엄 4 프레스캇2004년 2월
인텔셀러론 D 프레스캇-2562004년 5월
인텔펜티엄 M 도선2004년 5월
인텔셀러론 M 도선-10242004년 8월
인텔제온 노코나, 어윈데일, 크랜포드, 포토맥, 팍스빌2004년 6월
인텔펜티엄 D 스미스필드2005년 5월
AMD애슬론 64 윈체스터, 베니스, 샌 디에고, 올리언스2004년 10월
AMD애슬론 64 X2 맨체스터, 톨레도, 윈저2005년 5월
AMD셈프론 팔레르모, 마닐라2004년 8월
AMD튜리온 64 랭커스터, 리치몬드2005년 3월
AMD튜리온 64 X2 테일러, 트리니다드2006년 5월
AMD옵테론 비너스, 트로이, 아테네2005년 8월
AMD듀얼 코어 옵테론 덴마크, 이탈리아, 이집트, 산타 아나, 산타 로사
비아VIA C72005년 5월
Loongson(Godson) 2Е STLS2E022007년 4월
Loongson(Godson) 2F STLS2F022008년 7월
MCSTMCST-4R2010년 12월
소니/도시바EE+GS (플레이스테이션 2)2003년[15]
NVIDIA지포스 8800 GTS (G80)2006년


4. 1. 중앙 처리 장치 (CPU)

제조사제품명출시일
IBMPowerPC G5 970FX2004년
IBMPowerPC G5 970MP2005년
IBMPowerPC G5 970GX2005년
IBM엑스박스 360 프로세서 Waternoose2005년
IBM, 소니, 도시바셀 프로세서2005년
인텔펜티엄 4 프레스캇2004년 2월
인텔셀러론 D 프레스캇-2562004년 5월
인텔펜티엄 M 도선2004년 5월
인텔셀러론 M 도선-10242004년 8월
인텔제온 노코나, 어윈데일, 크랜포드, 포토맥, 팍스빌2004년 6월
인텔펜티엄 D 스미스필드2005년 5월
AMD애슬론 64 윈체스터, 베니스, 샌 디에고, 올리언스2004년 10월
AMD애슬론 64 X2 맨체스터, 톨레도, 윈저2005년 5월
AMD셈프론 팔레르모, 마닐라2004년 8월
AMD튜리온 64 랭커스터, 리치몬드2005년 3월
AMD튜리온 64 X2 테일러, 트리니다드2006년 5월
AMD옵테론 비너스, 트로이, 아테네2005년 8월
AMD듀얼 코어 옵테론 덴마크, 이탈리아, 이집트, 산타 아나, 산타 로사
비아VIA C72005년 5월
Loongson(Godson) 2Е STLS2E022007년 4월
Loongson(Godson) 2F STLS2F022008년 7월
MCSTMCST-4R2010년 12월
소니/도시바EE+GS (플레이스테이션 2)2003년[15]


4. 2. 게임 콘솔 프로세서

4. 3. 기타

회사제품명출시일
IBMPowerPC G5 970FX2004년
IBMPowerPC G5 970MP2005년
IBMPowerPC G5 970GX2005년
IBM엑스박스 360 프로세서 Waternoose2005년
IBM, 소니, 도시바셀 프로세서2005년
인텔펜티엄 4 프레스캇2004년 2월
인텔셀러론 D 프레스캇-2562004년 5월
인텔펜티엄 M 도선2004년 5월
인텔셀러론 M 도선-10242004년 8월
인텔제온 노코나, 어윈데일, 크랜포드, 포토맥, 팍스빌2004년 6월
인텔펜티엄 D 스미스필드2005년 5월
AMD애슬론 64 윈체스터, 베니스, 샌 디에고, 올리언스2004년 10월
AMD애슬론 64 X2 맨체스터, 톨레도, 윈저2005년 5월
AMD셈프론 팔레르모, 마닐라2004년 8월
AMD튜리온 64 랭커스터, 리치몬드2005년 3월
AMD튜리온 64 X2 테일러, 트리니다드2006년 5월
AMD옵테론 비너스, 트로이, 아테네2005년 8월
AMD듀얼 코어 옵테론 덴마크, 이탈리아, 이집트, 산타 아나, 산타 로사
비아C72005년 5월
Loongson (Godson) 2Е STLS2E022007년 4월
Loongson (Godson) 2F STLS2F022008년 7월
MCST-4R2010년 12월
소니/도시바EE+GS (플레이스테이션 2)2003년[15]
NVIDIA지포스 8800 GTS (G80)2006년


5. 의의 및 영향

90 nm 실리콘 MOSFET는 1988년 MIT에서 이란 엔지니어 가밤 샤히디(나중에 IBM 이사)가 D.A. Antoniadis 및 H.I. Smith와 함께 반도체 소자 제작으로 제작했다. 이 소자는 X선 리소그래피를 사용하여 제작되었다.[6]

도시바, 소니, 삼성은 2001년에서 2002년 사이에 90nm 공정을 개발했으며, 2002년 도시바의 eDRAM 및 삼성의 2Gb NAND 플래시 메모리에 도입되었다.[7][8] IBM은 2002년에 샤히디가 주도한 90nm 절연체 위에 실리콘 (SOI) CMOS 공정을 시연했다. 같은 해, 인텔은 90nm 스트레인 실리콘 공정을 시연했다.[9] 후지쯔는 2003년에 90nm 공정을 상업적으로 도입했고[10] TSMC가 2004년에 그 뒤를 이었다.[11]

마이크론 테크놀로지의 구르테지 싱 산두는 원자층 증착 고유전율 박막의 DRAM 메모리 소자 개발을 시작했다. 이는 90nm 반도체 노드 DRAM부터 시작하여 반도체 메모리의 비용 효율적인 구현을 촉진하는 데 도움이 되었다.[12]

인텔의 90nm 공정은 1제곱 밀리미터(MTr/mm2)당 145만 개의 트랜지스터 밀도를 가지고 있다.[13]

참조

[1] 웹사이트 No More Nanometers – EEJournal https://www.eejourna[...] 2020-07-23
[2] 웹사이트 A Brief History of Process Node Evolution https://www.design-r[...] 2019-07-09
[3] 웹사이트 14nm, 7nm, 5nm: How low can CMOS go? It depends if you ask the engineers or the economists... https://www.extremet[...]
[4] 웹사이트 Exclusive: Is Intel Really Starting To Lose Its Process Lead? 7nm Node Slated For Release in 2022 https://wccftech.com[...] 2016-09-10
[5] 웹사이트 Life at 10nm. (Or is it 7nm?) And 3nm - Views on Advanced Silicon Platforms https://www.eejourna[...] 2018-03-12
[6] 간행물 Reduction of hot-electron-generated substrate current in sub-100-nm channel length Si MOSFET's 1988-12
[7] 뉴스 Toshiba and Sony Make Major Advances in Semiconductor Process Technologies https://www.toshiba.[...] Toshiba 2019-06-26
[8] 웹사이트 Our Proud Heritage from 2000 to 2009 https://www.samsung.[...] Samsung 2019-06-25
[9] 뉴스 IBM, Intel wrangle at 90 nm https://www.eetimes.[...] EE Times 2019-09-17
[10] 웹사이트 65nm CMOS Process Technology https://web.archive.[...] 2019-06-20
[11] 웹사이트 90nm Technology https://www.tsmc.com[...] TSMC 2019-06-30
[12] 웹사이트 IEEE Andrew S. Grove Award Recipients https://web.archive.[...] Institute of Electrical and Electronics Engineers 2019-07-04
[13] 웹사이트 Intel's 10nm Cannon Lake and Core i3-8121U Deep Dive Review https://www.anandtec[...]
[14] 문서 Elpida's presentation at Via Technology Forum 2005 and Elpida 2005 Annual Report
[15] 뉴스 EMOTION ENGINE® AND GRAPHICS SYNTHESIZER USED IN THE CORE OF PLAYSTATION® BECOME ONE CHIP https://www.sie.com/[...] Sony 2019-06-26
[16] 문서 Elpida's presentation at Via Technology Forum 2005 and Elpida 2005 Annual Report



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